APG028N10 datasheet, аналоги, параметры транзистора

APG028N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG028N10 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO220

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для APG028N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:1195K allpower
apg028n10.pdf pdf_icon

9.1. Size:993K allpower
apg020n01gd.pdf pdf_icon

9.2. Size:671K allpower
apg024n04g.pdf pdf_icon

9.3. Size:1514K allpower
apg022n06g.pdf pdf_icon