APG042N01D datasheet, аналоги, параметры транзистора

APG042N01D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG042N01D 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 145 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 673 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO263

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для APG042N01D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:1107K allpower
apg042n01d.pdf pdf_icon

9.1. Size:810K allpower
apg045n85d.pdf pdf_icon

9.2. Size:778K allpower
apg046n01g.pdf pdf_icon

9.3. Size:861K allpower
apg045n85.pdf pdf_icon