APG080N12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG080N12  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 106 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 352 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG080N12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG080N12 даташит

 ..1. Size:1148K  allpower
 apg080n12.pdf pdf_icon

APG080N12

 9.1. Size:775K  allpower
 apg082n01.pdf pdf_icon

APG080N12

APG082N01 N-Channel Enhancement Mosfet Feature 100V,100A R

Другие IGBT... APG032N04G, APG035N04Q, APG038N01G, APG042N01D, APG045N85, APG070N12G, APG078N07, APG078N07K, IRF640, APG082N01, APG095N01, APG095N01K, APG250N01Q, APP50N06, APP540, APG045N85D, APG046N01G