APG095N01K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG095N01K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 618 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG095N01K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG095N01K даташит

 ..1. Size:1048K  allpower
 apg095n01k.pdf pdf_icon

APG095N01K

 5.1. Size:978K  1
 apg095n01g.pdf pdf_icon

APG095N01K

 5.2. Size:978K  allpower
 apg095n01g.pdf pdf_icon

APG095N01K

 5.3. Size:1009K  allpower
 apg095n01.pdf pdf_icon

APG095N01K

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APG042N01D, APG045N85, APG070N12G, APG078N07, APG078N07K, APG080N12, APG082N01, APG095N01, IRFP260N, APG250N01Q, APP50N06, APP540, APG045N85D, APG046N01G, APG050N85, APG050N85D, APG054N10