APP50N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APP50N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APP50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APP50N06 даташит

 ..1. Size:891K  allpower
 app50n06.pdf pdf_icon

APP50N06

Другие IGBT... APG070N12G, APG078N07, APG078N07K, APG080N12, APG082N01, APG095N01, APG095N01K, APG250N01Q, IRF640N, APP540, APG045N85D, APG046N01G, APG050N85, APG050N85D, APG054N10, APG054N10D, APG060N85D