APG045N85D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG045N85D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 819 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG045N85D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG045N85D даташит

 ..1. Size:810K  allpower
 apg045n85d.pdf pdf_icon

APG045N85D

 5.1. Size:861K  allpower
 apg045n85.pdf pdf_icon

APG045N85D

 9.1. Size:778K  allpower
 apg046n01g.pdf pdf_icon

APG045N85D

 9.2. Size:1107K  allpower
 apg042n01d.pdf pdf_icon

APG045N85D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APG078N07K, APG080N12, APG082N01, APG095N01, APG095N01K, APG250N01Q, APP50N06, APP540, 8205A, APG046N01G, APG050N85, APG050N85D, APG054N10, APG054N10D, APG060N85D, APG068N04G, APG068N04Q