APG054N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG054N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1075 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG054N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG054N10 даташит

 ..1. Size:664K  allpower
 apg054n10.pdf pdf_icon

APG054N10

 0.1. Size:611K  allpower
 apg054n10d.pdf pdf_icon

APG054N10

 9.1. Size:1014K  allpower
 apg050n85.pdf pdf_icon

APG054N10

 9.2. Size:957K  allpower
 apg050n85d.pdf pdf_icon

APG054N10

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APG095N01K, APG250N01Q, APP50N06, APP540, APG045N85D, APG046N01G, APG050N85, APG050N85D, IRFB4227, APG054N10D, APG060N85D, APG068N04G, APG068N04Q, AO3480, AO3481C, AOB29S50L, AOB380A60L