AOB380A60L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOB380A60L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AOB380A60L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB380A60L даташит

 ..1. Size:647K  aosemi
 aotf380a60l aot380a60l aob380a60l.pdf pdf_icon

AOB380A60L

AOTF380A60L/AOT380A60L/AOB380A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 5.1. Size:649K  aosemi
 aob380a60cl.pdf pdf_icon

AOB380A60L

AOTF380A60CL/AOT380A60CL/AOB380A60CL TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 5.2. Size:649K  aosemi
 aotf380a60cl aot380a60cl aob380a60cl.pdf pdf_icon

AOB380A60L

AOTF380A60CL/AOT380A60CL/AOB380A60CL TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... APG054N10, APG054N10D, APG060N85D, APG068N04G, APG068N04Q, AO3480, AO3481C, AOB29S50L, STP75NF75, AOK033V120X2, AOK033V120X2Q, AOK065V120X2, AOK065V65X2, AOK500V120X2, AOM033V120X2, AOM065V120X2Q, AONV070V65G1