AOTF20N40L - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AOTF20N40L. Основные параметры


   Наименование производителя: AOTF20N40L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 212 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AOTF20N40L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF20N40L даташит

 ..1. Size:457K  aosemi
aotf20n40 aotf20n40l.pdfpdf_icon

AOTF20N40L

AOTF20N40/AOTF20N40L 400V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 500@150 The AOTF20N40 & AOTF20N40L is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 20A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.1. Size:331K  aosemi
aotf20n40.pdfpdf_icon

AOTF20N40L

AOTF20N40 400V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 500@150 The AOTF20N40 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 20A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.2. Size:251K  inchange semiconductor
aotf20n40.pdfpdf_icon

AOTF20N40L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF20N40 FEATURES Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.25 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos

 7.1. Size:540K  aosemi
aotf20n60.pdfpdf_icon

AOTF20N40L

AOT20N60/AOTF20N60 600V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT20N60 & AOTF20N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 20A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOB42S60L , AOI780A70 , AO3485C , AOB66914L , AOI280A60 , AONS21303C , AOT11N60L , AOTF11N60L , IRF530 , , , , , , , , .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.