ZVNL120G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZVNL120G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для ZVNL120G
ZVNL120G Datasheet (PDF)
zvnl120g.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEZVNL120GLOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - JANUARY 1996 FEATURESD* VDS - 200V* RDS(ON) - 10SPARTMARKING DETAIL - ZVNL120DGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 200 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dis
zvnl120gta zvnl120gtc.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEZVNL120GLOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - JANUARY 1996 FEATURESD* VDS - 200V* RDS(ON) - 10SPARTMARKING DETAIL - ZVNL120DGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 200 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dis
zvnl120astoa zvnl120astob zvnl120astz.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVNL120AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 200 Volt VDSVGS=10V * RDS(on)=108V 6V * Low threshold4VDAPPLICATIONS G S* Telephone handsetsE-LineTO92 Compatible3VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT2VDrain-Source Voltage VDS 200 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 180 mAPulsed Drain
zvnl120c.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVNL120CMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D I I TI T I DE-Line T V TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID 8 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I
Другие MOSFET... ZXMN7A11G , ZXMN7A11K , BSS123Z , BSS123W , ZVN4424Z , ZVN4525E6 , ZVN4525G , ZVN4525Z , IRF520 , ZXMN0545G4 , ZXMN10A07F , ZXMN10A07Z , ZXMN10A08DN8 , ZXMN10A08E6 , ZXMN10A08G , ZXMN10A09K , ZXMN10A11G .
History: AP18P10AGH | BUK7Y41-80E
History: AP18P10AGH | BUK7Y41-80E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238