ASA50R130E - описание и поиск аналогов

 

ASA50R130E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASA50R130E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для ASA50R130E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASA50R130E даташит

 ..1. Size:921K  cn anhi
 asa50r130e.pdf pdf_icon

ASA50R130E

ASA50R130E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.113 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.5 to 3.5 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 550 V DS

Другие MOSFET... 2N7002KH , 2N7002KM , AS2310A , 2N7002EY , AS6004 , ADG120N080G2 , ADQ120N080G2 , ADW120N080G2 , 75N75 , ASA60R090EFD , ASA60R090EFDA , ASA60R150E , ASA60R170E , ASA60R210E , ASA60R280E , ASA60R330E , ASA65R120EFD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.