ASA65R350E - описание и поиск аналогов

 

ASA65R350E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASA65R350E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для ASA65R350E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASA65R350E даташит

 ..1. Size:1165K  cn anhi
asa65r350e asu65r350e asd65r350e.pdfpdf_icon

ASA65R350E

ASA65R350E, ASU65R350E, , ASU65R350E, ASD65R350E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications PFC stages,hard switching PWM stages and resonant PFC stages,hard switching PWM stages and resonant switching PWM PC, Silverbox,Adaptor,LCD & PDP TV,Lighting,Server power,Telecom power nd UPS Silverbox,Adaptor,LCD & PDP TV,Lighting,Server power,Telecom power and UPS application. 2. Feature

 7.1. Size:855K  cn anhi
asa65r300e asd65r300e asb65r300e.pdfpdf_icon

ASA65R350E

ASA65R300E, ASD65R300E,ASB65R300E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward, HB or AHB or LLC topologies. For PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV, LED Lighting, Server power, UPS application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.278 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode V

 7.2. Size:1445K  cn anhi
asa65r300e asd65r300e.pdfpdf_icon

ASA65R350E

ASA65R300E, ASD65R300E 0E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch,single-ended flyback or ended flyback or two-transistor forward, HB or AHB or LLC topologies. For PC power, PD Adaptor,LCD & PDP TV, Lighting,Server power,UPS application. Adaptor,LCD & PDP TV, LED Lighting,Server power,UPS application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) =

 8.1. Size:1451K  cn anhi
asw65r120efd asa65r120efd asr65r120efd.pdfpdf_icon

ASA65R350E

ASW65R120EFD, ASA65R120EFD, ASR65R120EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge and full bridge topologies. Server power, Telecom power, EV charging, Solar inverter, UPS Application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.105 (typ.) Easy to control Gate switching E

Другие MOSFET... ASA60R210E , ASA60R280E , ASA60R330E , ASA65R120EFD , ASA65R220E , ASA65R270E , ASA65R280E , ASA65R300E , K2611 , ASA65R550E , ASA65R850E , ASA70R240E , ASA70R380E , ASA70R600E , ASA70R950E , ASA80R290E , ASA80R750E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.