ASA65R850E - описание и поиск аналогов

 

ASA65R850E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASA65R850E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для ASA65R850E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASA65R850E даташит

 ..1. Size:1101K  cn anhi
asa65r850e asu65r850e asd65r850e.pdfpdf_icon

ASA65R850E

ASA65R850E, ASU65R850E, ASD65R850E , ASU65R850E, ASD65R850E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch,single-ended flyback or ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor,LCD & PDP TV and Adaptor,LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.750 (typ.) resistance RDS(ON) = 0.750 (typ.

 8.1. Size:1451K  cn anhi
asw65r120efd asa65r120efd asr65r120efd.pdfpdf_icon

ASA65R850E

ASW65R120EFD, ASA65R120EFD, ASR65R120EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge and full bridge topologies. Server power, Telecom power, EV charging, Solar inverter, UPS Application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.105 (typ.) Easy to control Gate switching E

 8.2. Size:855K  cn anhi
asa65r300e asd65r300e asb65r300e.pdfpdf_icon

ASA65R850E

ASA65R300E, ASD65R300E,ASB65R300E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward, HB or AHB or LLC topologies. For PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV, LED Lighting, Server power, UPS application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.278 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode V

 8.3. Size:937K  cn anhi
asd65r270e asa65r270e.pdfpdf_icon

ASA65R850E

ASD65R270E, ASA65R270E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 236m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit VD

Другие MOSFET... ASA60R330E , ASA65R120EFD , ASA65R220E , ASA65R270E , ASA65R280E , ASA65R300E , ASA65R350E , ASA65R550E , RU7088R , ASA70R240E , ASA70R380E , ASA70R600E , ASA70R950E , ASA80R290E , ASA80R750E , ASA80R900E , ASB60R150E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.