ASB70R380E - описание и поиск аналогов

 

ASB70R380E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASB70R380E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 750 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для ASB70R380E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASB70R380E даташит

 ..1. Size:1103K  cn anhi
 asa70r380e asd70r380e asb70r380e.pdf pdf_icon

ASB70R380E

ASA70R380E, ASD70R380 380E, ASB70R380E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor,LCD & PDP TV and Adaptor,LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) resistance RDS(ON) = 0.346 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode

Другие MOSFET... ASA70R950E , ASA80R290E , ASA80R750E , ASA80R900E , ASB60R150E , ASB65R120EFD , ASB65R220E , ASB65R300E , 20N60 , ASB80R750E , , , , , , , .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.