AUA039N10 - описание и поиск аналогов

 

AUA039N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUA039N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 865 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AUA039N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUA039N10 даташит

 ..1. Size:970K  cn anhi
 aun036n10 aup039n10 aua039n10 aub039n10.pdf pdf_icon

AUA039N10

AUN036N10, AUP039N10, AUA039N10, AUB039N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance DFN5x6 RDS(ON) = 3.3m (typ.) TO220&220F&263 RDS(ON) = 3.6m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 1.2 to

Другие MOSFET... ASW60R150E , ASW65R041E , ASW65R041EFDA , ASW65R046EFD , ASW65R095EFD , ASW65R110E , ASW65R120EFD , ASW80R290E , 4435 , AUA056N08BGL , AUA060N08AG , AUA062N08BG , AUB026N085 , AUB033N08BG , AUB034N10 , , .

History: AUB026N085 | AUA062N08BG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.