AP2P053Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2P053Y

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для AP2P053Y

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2P053Y даташит

 ..1. Size:103K  ape
 ap2p053y.pdf pdf_icon

AP2P053Y

AP2P053Y Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 65m D Surface Mount Device ID3 -5A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D D Description AP2P053 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achi

 7.1. Size:189K  ape
 ap2p053n.pdf pdf_icon

AP2P053Y

AP2P053N Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 65m Surface Mount Device ID3 -4.2A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2P053 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

 8.1. Size:156K  ape
 ap2p052n.pdf pdf_icon

AP2P053Y

AP2P052N Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID3 -4A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2P052 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the

 8.2. Size:176K  ape
 ap2p052y.pdf pdf_icon

AP2P053Y

AP2P052Y Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 52m D Surface Mount Device ID -5.1A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D D Description AP2P052 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to ach

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUP074N10, AUR014N10, AUR020N085, AUR020N10, AUR030N10, AUW025N10, AUW033N08BG, AP12A390YT, 60N06, AP3N5R0MT, AP3N9R5MT, AP3N9R5YT, AP3P020H, AP3P050AH, AP4024GEMT-HF, AP4NAR95CMT-A, AP65SA145DDT8