AP6NA3R2MT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6NA3R2MT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00328 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP6NA3R2MT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6NA3R2MT даташит

 ..1. Size:487K  ape
 ap6na3r2mt.pdf pdf_icon

AP6NA3R2MT

AP6NA3R2MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.28m Lower On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP6NA3R2 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest pos

Другие IGBT... AP3N5R0MT, AP3N9R5MT, AP3N9R5YT, AP3P020H, AP3P050AH, AP4024GEMT-HF, AP4NAR95CMT-A, AP65SA145DDT8, IRF540N