CRTT067N10N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRTT067N10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 147 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 92 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 478 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CRTT067N10N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTT067N10N даташит

 ..1. Size:510K  1
 crtt067n10n.pdf pdf_icon

CRTT067N10N

CRTT067N10N ( ) Trench N-MOSFET 100V, 5.2m , 147A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 5.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 147A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 9.1. Size:532K  crhj
 crtt029n06n.pdf pdf_icon

CRTT067N10N

CRTT029N06N ( ) Trench N-MOSFET 60V, 2.3m , 160A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 160A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalan

 9.2. Size:578K  crhj
 crtt056n06n.pdf pdf_icon

CRTT067N10N

CRTT056N06N ( ) Trench N-MOSFET 60V, 4.2m , 110A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 110A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications Motor c

 9.3. Size:501K  crhj
 crtt084ne6n.pdf pdf_icon

CRTT067N10N

CRTT084NE6N ( ) Trench N-MOSFET 68V, 7.1m , 81A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 81A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP3N9R5MT, AP3N9R5YT, AP3P020H, AP3P050AH, AP4024GEMT-HF, AP4NAR95CMT-A, AP65SA145DDT8, AP6NA3R2MT, IRF540