ASDM100N15KQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ASDM100N15KQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ASDM100N15KQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM100N15KQ даташит

 ..1. Size:822K  ascend
asdm100n15kq.pdfpdf_icon

ASDM100N15KQ

ASDM100N15KQ 100V N-CHANNEL MOSFET Features Product Summary 100V,15A R =95m (Typ.) @ V = 10V DS(ON) GS V DS 100 V R =100m (Typ.) @ V = 4.5V DS(ON) GS Low Total Gate Charge R DS(on),TYP@ VGS=10 V 95 m Low Reverse Transfer Capacitance Improved dv/dt Capability 15 A ID Fast Switching Speed Application Uninterruptible Power Su

 6.1. Size:354K  ascend
asdm100n34kq.pdfpdf_icon

ASDM100N15KQ

ASDM100N34KQ 100V N-Channel MOSFET General Features Product Summary Advanced Trench Technology V 100 V DSS Lead free product is acquired 24 Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge R m DS(ON)-Typ I 34 A D Application Load Switch PWM Application Power management D G S TO-252 Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified) C S

 7.1. Size:568K  ascend
asdm100r750pkq.pdfpdf_icon

ASDM100N15KQ

ASDM100R750PKQ -100V P-Channel MOSFET General Features Product Summary Split gate trench MOSFET technology V DS -100 V Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss R DS(on),Typ@ VGS=-10 V 75 m Excellent stability and uniformity I D -20 A Application Power management Portable equipment D G S P-channel TO-252 Absolute Maximum Ratings (T =25 unless

 7.2. Size:552K  ascend
asdm100r066nq.pdfpdf_icon

ASDM100N15KQ

ASDM100R066NQ 100V N-CHANNEL MOSFET Features Product Summary Advanced Trench MOS Technology 100 V Low Gate Charge VDS RDS(on),Typ 5.9 @ VGS=10V m Low R DS(ON) ID 68 A 100% EAS Guaranteed Green Device Available Applications Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial. D G S

Другие IGBT... AKF30N10S, AKF30N5P0SX, FTE02P15G, FTP02P15G, FTE15C35G, FTF15N35D, FTF25N35DHVT, FTF30P35D, P55NF06, ASDM100N34KQ, ASDM100R045NQ, ASDM100R066NQ, ASDM100R090NP, ASDM100R160NKQ, ASDM100R750PKQ, ASDM12N65F, ASDM20N100Q