ASDM20N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ASDM20N60

Маркировка: 20N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ASDM20N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM20N60 даташит

 ..1. Size:706K  ascend
asdm20n60.pdfpdf_icon

ASDM20N60

ASDM20N60 20V N-Channel MOSFET General Features Product Summary Low Gate Charge Enhancement mode BVDSS 20 V Fast Switching RDS(on),Typ.@ VGS=4.5 V 5 m High Power and Current Handling Capability 60 ID A Applications DC-DC primary bridge DC-DC Synchronous rectification DC FAN D G 1 s TO-252 N-channel Absolute Maximum Ratings Symbol Para

 7.1. Size:491K  ascend
asdm20n12zb.pdfpdf_icon

ASDM20N60

ASDM20N12ZB 20V N-CHANNEL MOSFET Product Summary Features 20V/12A V DS 20 V Super High Dense Cell Design R DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 11.5 m Reliable and Rugged I D 12 A Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications Portable Equipment and Battery Powered Systems. DC-DC converter Load Switch Top view D G S SOT-23-3 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C Unless O

 7.2. Size:267K  ascend
asdm20n90q.pdfpdf_icon

ASDM20N60

ASDM20N90Q 20V N-CHANNEL MOSFET Feature Product Summary 100% EAS Guaranteed V DS 20 V Green Device Available RDS(on),TYP@VGS=10V 1.5 m Super Low Gate Charge RDS(on),TYP@VGS=4.5V 1.8 m Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology I D 90 A Application Power Management in Inverter System top view PDFN5*6-8 Maximum rati

 7.3. Size:413K  ascend
asdm20n100q.pdfpdf_icon

ASDM20N60

ASDM20N100Q 20V N-Channel MOSFET Product Summary General Description 20V /100A Single N Power MOSFET V DS 20 V Very low on-resistance RDS(on) @ R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1. 3 m VGS=4.5 V I D 100 A Pb-free lead plating; RoHS compliant DFN5x6-8 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 C 100 Continuous Drain Cur

Другие IGBT... ASDM60N50KQ, ASDM60N70Q, ASDM60N80KQ, ASDM60P12KQ, ASDM60R042NQ, ASDM6802ZC, ASDM68N80KQ, ASDM7002EZA, 10N65