BCD7N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCD7N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BCD7N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BCD7N65 даташит

 ..1. Size:1893K  cn shandong baocheng elec
 bct7n65 bcd7n65.pdf pdf_icon

BCD7N65

Другие IGBT... ASDM30N120KQ, ASDM30N120Q, ASDM30N150Q, ASDM30N75KQ, ASDM30N90Q, ASDM30P100KQ, BCT20N65, BCT7N65, IRF1405, BCT4N65, BCD4N65, BCT12N65, BCD12N65, H50N06, T50N06, BCD80N06, BCD90N03