BCD4N65 datasheet, аналоги, параметры транзистора

BCD4N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCD4N65 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для BCD4N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:1888K cn shandong baocheng elec
bct4n65 bcd4n65.pdf pdf_icon