H50N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H50N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для H50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H50N06 даташит

 ..1. Size:1691K  cn shandong baocheng elec
 e50n06 d50n06 h50n06 t50n06.pdf pdf_icon

H50N06

50N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-263 TO-252 Features Low FOM RDS(on) Qgd 100% avalanche tested Easy to use/drive RoHS compliant TO-251 TO-220 Drain Applications DC/DC Converter Battery Protection Charge/Discharge Gate Load Switch Synchronous Rectification Source Key Performance Parameters Parameter Value Unit VDS@ Tc=25 60 V RDS(on),

 0.1. Size:1704K  cn wxdh
 dh50n06fzc dhf50n06fzc dhi50n06fzc dhe50n06fzc dhb50n06fzc dhd50n06fzc.pdf pdf_icon

H50N06

 9.1. Size:61K  hsmc
 h50n03j.pdf pdf_icon

H50N06

Spec. No. MOS200514 HI-SINCERITY Issued Date 2005.01.01 Revised Date 2005.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H50N03J Pin Assignment H50N03J Tab 3-Lead Plastic TO-252 Package Code J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 50A) Pin 1 Gate 3 Pin 2 & Tab Drain 2 1 Pin 3 Source D Features Internal Schematic Diagram RDS(on)=6m @VGS=10V, ID=30A G RDS

Другие IGBT... ASDM30P100KQ, BCT20N65, BCT7N65, BCD7N65, BCT4N65, BCD4N65, BCT12N65, BCD12N65, IRLB3034