BMDFN2301 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BMDFN2301  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BMDFN2301

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BMDFN2301 даташит

 ..1. Size:882K  born
 bmdfn2301.pdf pdf_icon

BMDFN2301

BMDFN2301 P-Channel MOSFET Features Pin Configurations V = -20V DS I D = -0.74A D R @V = -4.5V, TYP =230m DS(ON) GS R @V = -2.8V, TYP =320m DS(ON) GS R @V = -2.5V, TYP =355m DS(ON) GS R @V = -1.8V, TYP =650m DS(ON) GS S G General Description G Advanced trench process technology S D High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

 6.1. Size:453K  born
 bmdfn2302.pdf pdf_icon

BMDFN2301

BMDFN2302 N-Channel MOSFET Features Pin Configurations V = 20V DS I D = 0.71A D R @V = 4.5V, TYP =220m DS(ON) GS R @V = 2.5V, TYP =260m DS(ON) GS R @V = 1.8V, TYP =315m DS(ON) GS G S General Description Trench Technology G S Supper high density cell design D Excellent ON resistance for higher DC current Extremely Low Threshold Voltage

Другие IGBT... AOL1718, CS65N25AKR, AO3401F, AO3415E, BM3134E, BM3134KE, BM3139KT, BM8205, IRF730