BMS2301 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BMS2301  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BMS2301

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BMS2301 даташит

 ..1. Size:759K  born
 bms2301.pdf pdf_icon

BMS2301

BMS2301 P-Channel MOSFET Features Pin Configurations V = -20V DS I D = -1.4A R @V = -4.5V, Max =100m DS(ON) GS R @V = -2.5V, Max =140m DS(ON) GS R @V = -1.8V, Max =210m DS(ON) GS General Description Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-323 for Surface Mount Package. Absolute Maximum Ratings

 8.1. Size:696K  born
 bms2302.pdf pdf_icon

BMS2301

BMS2302 N-Channel MOSFET Features Pin Configurations V = 20V DS I D = 2.1A R @V = 4.5V, Max =68m DS(ON) GS R @V = 2.5V, Max =115m DS(ON) GS General Description Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-323 for Surface Mount Package. Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted A Pa

Другие IGBT... AO3401F, AO3415E, BM3134E, BM3134KE, BM3139KT, BM8205, BMDFN2301, BMDFN2302, IRF3205