BL4N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BL4N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220 TO220F TO251 TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BL4N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL4N90 даташит

 ..1. Size:664K  belling
 bl4n90.pdf pdf_icon

BL4N90

BL4N90 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BL4N90, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications

Другие IGBT... BM8205, BMDFN2301, BMDFN2302, BMS2301, BMS2302, BMSN3139, SI2301F, SI2309S, IRF540