BLM3404 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLM3404  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BLM3404

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM3404 даташит

 ..1. Size:285K  belling
 blm3404.pdf pdf_icon

BLM3404

 8.1. Size:78K  belling
 blm3400.pdf pdf_icon

BLM3404

Pb Free Product BLM3400 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The BLM3400 uses advanced trench technology to provide D excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a G Battery protection or in other Switching application. S GENERAL FEATURES V = 30V,I = 5.8A Schematic diagram DS

 8.2. Size:190K  belling
 blm3401a.pdf pdf_icon

BLM3404

 8.3. Size:190K  belling
 blm3401.pdf pdf_icon

BLM3404

P-Channel Enhancement BLM3401 Mode MOSFET BLM3401 BLM3401 BLM3401 FEATURES APPLICATIONS VDS VGS RDSon TYP ID Load Switch 51mR@-10V 4A Portable Devices 30V 12V 60mR@-4V5 DCDC conversion 98mR@-2V5 Pin Configuration DESCRIPTION This device is particularly suited for low voltage application such as portable equipment, power management and other

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BMDFN2301, BMDFN2302, BMS2301, BMS2302, BMSN3139, SI2301F, SI2309S, BL4N90, 50N06