MSB100N023 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSB100N023  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2020 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSB100N023

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSB100N023 даташит

 ..1. Size:660K  bruckewell
 msb100n023.pdf pdf_icon

MSB100N023

MSB100N023 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize R , provide superior switching performance, DS(ON) and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications.

Другие IGBT... MS23N06A, MS23P03, MS34P01, MS34P07, MS40N05, MS40P05, MS40P05AU, MS60P03, 2N7000