MSD40P45 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSD40P45  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSD40P45

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD40P45 даташит

 ..1. Size:723K  bruckewell
 msd40p45.pdf pdf_icon

MSD40P45

MSD40P45 P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize R , provide superior switching performance, DS(ON) and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications. The

 8.1. Size:523K  bruckewell
 msd40p03.pdf pdf_icon

MSD40P45

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD40P03 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards

Другие IGBT... MS23P03, MS34P01, MS34P07, MS40N05, MS40P05, MS40P05AU, MS60P03, MSB100N023, P55NF06