MSQ40P07D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSQ40P07D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSQ40P07D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ40P07D даташит

 ..1. Size:306K  bruckewell
 msq40p07d.pdf pdf_icon

MSQ40P07D

MSQ40P07D P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDS(ON) and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Другие IGBT... MSH60N35D, MSHM30N46, MSHM40N085, MSHM60P14, MSQ100N03D, MSQ30P07D, MSQ30P15, MSQ30P40D, BS170