CS85105A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS85105A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 99 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 83 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1051 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS85105A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS85105A даташит

 ..1. Size:540K  cass
 cs85105a.pdf pdf_icon

CS85105A

CS85105A N-Channel Trench Power MOSFET General Description The CS85105A is SGT MOSFET designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching applications. Features VDS=80V; ID=82A@ VGS=10V; RDS(ON)

Другие IGBT... MSQ30P40D, MSQ40P07D, MSQ60P04D, CS40N27, CS48N75A, CS55N50, CS72N12, CS75N45, SPP20N60C3