CEB100N10L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEB100N10L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEB100N10L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB100N10L даташит

 ..1. Size:508K  cet
 cep100n10l ceb100n10l.pdf pdf_icon

CEB100N10L

CEP100N10L/CEB100N10L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 92A, RDS(ON) = 8.2m @VGS = 10V. RDS(ON) = 10.5m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C u

 9.1. Size:420K  cet
 cep10n6 ceb10n6 cef10n6.pdf pdf_icon

CEB100N10L

CEP10N6/CEB10N6 CEF10N6 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP10N6 600V 0.75 10A 10V CEB10N6 600V 0.75 10A 10V CEF10N6 600V 0.75 10A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PA

 9.2. Size:109K  cet
 cep10n4 ceb10n4 cei10n4 cef10n4.pdf pdf_icon

CEB100N10L

CEP10N4/CEB10N4 CEI10N4/CEF10N4 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP10N4 450V 0.7 10A 10V CEB10N4 450V 0.7 10A 10V CEI10N4 450V 0.7 10A 10V CEF10N4 450V 0.7 10A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 & TO

 9.3. Size:385K  cet
 cep10n65 ceb10n65 cef10n65.pdf pdf_icon

CEB100N10L

CEP10N65/CEB10N65 CEF10N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP10N65 650V 0.85 10A 10V CEB10N65 650V 0.85 10A 10V CEF10N65 650V 0.85 10A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CB3139KTB, BC2301T-2.8A, BC2301W, BC2302-2.8A, BC2302T-2.8A, BC2302W, BC3134K, BC3134KT, STF13NM60N