Справочник MOSFET. ZXMC4559DN8

 

ZXMC4559DN8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZXMC4559DN8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.7 A
   Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для ZXMC4559DN8

 

 

ZXMC4559DN8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  diodes
zxmc4559dn8.pdf

ZXMC4559DN8
ZXMC4559DN8

ZXMC4559DN8COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYN-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= 4.7AP-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.105 ; ID= -3.9ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,

 9.1. Size:187K  diodes
zxmc4a16dn8.pdf

ZXMC4559DN8
ZXMC4559DN8

ZXMC4A16DN8COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYN-Channel = V(BR)DSS= 40V : RDS(on)= 0.05 ; ID= 5.2AP-Channel = V(BR)DSS= -40V : RDS(on)= 0.06 ; ID= -4.7ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetexutilises a unique structure that combines the benefitsof low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top