Справочник MOSFET. ZXMC4559DN8

 

ZXMC4559DN8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMC4559DN8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для ZXMC4559DN8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMC4559DN8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  diodes
 zxmc4559dn8.pdf pdf_icon

ZXMC4559DN8

ZXMC4559DN8COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYN-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= 4.7AP-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.105 ; ID= -3.9ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,

 9.1. Size:187K  diodes
 zxmc4a16dn8.pdf pdf_icon

ZXMC4559DN8

ZXMC4A16DN8COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYN-Channel = V(BR)DSS= 40V : RDS(on)= 0.05 ; ID= 5.2AP-Channel = V(BR)DSS= -40V : RDS(on)= 0.06 ; ID= -4.7ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetexutilises a unique structure that combines the benefitsof low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage

Другие MOSFET... ZXMC3AMC , ZXMC3F31DN8 , ZXMD63C03X , BSS8402DW , DMC4028SSD , DMC4040SSD , DMC4050SSD , ZXMC10A816N8 , AO3400 , ZXMC4A16DN8 , ZXMC6A09DN8 , DMS2120LFWB , DMS2220LFDB , DMS2220LFW , 2SK311 , 2SK3107C , 2SK3112 .

History: ZXMC6A09DN8

 

 
Back to Top

 


 
.