Справочник MOSFET. 2SJ656

 

2SJ656 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ656
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0755 Ohm
   Тип корпуса: TO220ML
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ656 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  sanyo
 2sj656.pdf pdf_icon

2SJ656

Ordering number : ENN76842SJ656P-Channl Silicon MOSFET2SJ656General-Purpose Switching DeviceFeaturesPackage Dimensions Low ON-resistance.unit : mm Ultrahigh-speed switching.2063A 4V drive.[2SJ656]4.5 Motor drive, DC / DC converter.10.02.83.22.41.61.20.70.751 2 31 : Gate2.55 2.552 : Drain3 : SourceSpecifications2.55 2.55SANY

 9.1. Size:47K  sanyo
 2sj652.pdf pdf_icon

2SJ656

Ordering number : ENN76252SJ652P-Channl Silicon MOSFET2SJ652General-Purpose Switching Device ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Low ON-resistance.unit : mm Ultrahigh-speed switching.2063A 4V drive.[2SJ652] Motor drive, DC / DC converter.4.510.02.83.22.41.61.20.70.751 2 31 : Gate2.55 2.552 : Drain3 : SourceSpecifications2.

 9.2. Size:33K  sanyo
 2sj650.pdf pdf_icon

2SJ656

Ordering number : ENN75002SJ650P-Channl Silicon MOSFET2SJ650DC / DC Converter ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Low ON-resistance.unit : mm Ultrahigh-speed switching.2063A 4V drive.[2SJ650]4.510.02.83.22.41.61.20.70.751 2 31 : Gate2.55 2.552 : Drain3 : SourceSpecifications2.55 2.55SANYO : TO-220MLAbsolute Maximum Ratings

 9.3. Size:217K  sanyo
 2sj652-1e.pdf pdf_icon

2SJ656

2SJ652Ordering number : EN7625ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SJ652ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=28.5m (typ.) Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMHC3F381N8 , ZXMHC6A07N8 , ZXMHC6A07T8 , ZXMHN6A07T8 , 2SK3115B , STU437S , STU435S , 2SJ652 , MMIS60R580P , 2SK2394 , 2SK3557 , 2SK3666 , 2SK3703 , 2SK3704 , 2SK3708 , 2SK3745LS , 2SK3746 .

History: RJK2006DPJ | IXTY05N100

 

 
Back to Top

 


 
.