2SK875. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK875

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для 2SK875

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK875 даташит

 ..1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK875

 9.1. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK875

 9.2. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK875

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit mm High breakdown voltage VGDS = -50 V High input impedance IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k , f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

 9.3. Size:1661K  nec
 2sk873.pdf pdf_icon

2SK875

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK705, 2SK724, 2SK738, 2SK739, 2SK799, 2SK801, 2SK802, 2SK814, IRF530, 2SK876, 2SK897, 2SK897-MR, 2SK899, 2SK900, 2SK901, 2SK902, 2SK903