Справочник MOSFET. 2SK875

 

2SK875 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK875
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK875 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK875

 9.1. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK875

 9.2. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK875

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k, f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

 9.3. Size:1661K  nec
 2sk873.pdf pdf_icon

2SK875

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK705 , 2SK724 , 2SK738 , 2SK739 , 2SK799 , 2SK801 , 2SK802 , 2SK814 , IRF530 , 2SK876 , 2SK897 , 2SK897-MR , 2SK899 , 2SK900 , 2SK901 , 2SK902 , 2SK903 .

History: IXTH39N08MA | BUK426-1000A | AFN2604 | WSF40P04 | IXTH30N25

 

 
Back to Top

 


 
.