Справочник MOSFET. 3LN01C

 

3LN01C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3LN01C
   Маркировка: YA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.58 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
   Тип корпуса: CP
 

 Аналог (замена) для 3LN01C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3LN01C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  sanyo
 3ln01c.pdf pdf_icon

3LN01C

Ordering number : EN6260A3LN01CSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device3LN01CApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 10

 9.1. Size:47K  sanyo
 3ln01m.pdf pdf_icon

3LN01C

Ordering number : EN6138A3LN01MSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device3LN01MApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 10

 9.2. Size:48K  sanyo
 3ln01s.pdf pdf_icon

3LN01C

Ordering number : EN6957A3LN01SSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device3LN01SApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 10

 9.3. Size:260K  sanyo
 3ln01ss.pdf pdf_icon

3LN01C

Ordering number : EN6546A3LN01SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device3LN01SSApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK4196LS , 2SK4197LS , 2SK4198LS , 2SK4209 , 2SK4210 , 2SK4221 , 2SK4222 , 2SK932 , IRFP460 , 3LN01M , 3LN01S , 3LP01C , 3LP01M , 3LP01S , 5LN01C , 5LN01M , 5LN01SP .

History: IRL610A | IXTP1R6N50D2

 

 
Back to Top

 


 
.