Справочник MOSFET. 3LN01S

 

3LN01S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3LN01S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
   Тип корпуса: SMCP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

3LN01S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  sanyo
 3ln01s.pdf pdf_icon

3LN01S

Ordering number : EN6957A3LN01SSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device3LN01SApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 10

 0.1. Size:260K  sanyo
 3ln01ss.pdf pdf_icon

3LN01S

Ordering number : EN6546A3LN01SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device3LN01SSApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS

 0.2. Size:27K  sanyo
 3ln01sp.pdf pdf_icon

3LN01S

Ordering number : ENN65453LN01SPN-Channel Silicon MOSFET3LN01SPUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2180 2.5V drive.[3LN01SP]2.24.00.40.50.40.41 2 31.3 1.31 : Source2 : Drain3 : GateSpecifications3.03.8nomSANYO : SPAAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C

 9.1. Size:47K  sanyo
 3ln01m.pdf pdf_icon

3LN01S

Ordering number : EN6138A3LN01MSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device3LN01MApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 10

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.