5LN01C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 5LN01C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.8 Ohm
Тип корпуса: CP
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
5LN01C Datasheet (PDF)
5ln01c.pdf

Ordering number : EN6555A5LN01CSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device5LN01CApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 50 VGate-to-Source Voltage VGSS 10
5ln01ss.pdf

Ordering number : EN6560A5LN01SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device5LN01SSApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 50 VGate-to-Source Voltage VGSS
5ln01n.pdf

Ordering number : ENN65585LN01NN-Channel Silicon MOSFET5LN01NUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2178 2.5V drive.[5LN01N]5.04.04.00.450.50.440.451 : Source1 2 32 : Drain3 : GateSpecifications1.3 1.3 SANYO : NPAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter
5ln01s.pdf

Ordering number : EN6561A5LN01SSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device5LN01SApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 50 VGate-to-Source Voltage VGSS 10
Другие MOSFET... 2SK4222 , 2SK932 , 3LN01C , 3LN01M , 3LN01S , 3LP01C , 3LP01M , 3LP01S , AON6414A , 5LN01M , 5LN01SP , 5LN01SS , 5LP01M , ATP101 , ATP102 , ATP103 , ATP104 .
History: BLF6G38LS-50 | BRCS9926SC | GSM7002K | AP9578GP | BRCS3420MC | R6504ENX | SSPL7509
History: BLF6G38LS-50 | BRCS9926SC | GSM7002K | AP9578GP | BRCS3420MC | R6504ENX | SSPL7509



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent