Справочник MOSFET. 5LN01M

 

5LN01M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 5LN01M
   Маркировка: YB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.57 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.8 Ohm
   Тип корпуса: MCP
 

 Аналог (замена) для 5LN01M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

5LN01M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  sanyo
 5ln01m.pdf pdf_icon

5LN01M

Ordering number : EN6137A5LN01MSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device5LN01MApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 50 VGate-to-Source Voltage VGSS 10

 ..2. Size:253K  onsemi
 5ln01m.pdf pdf_icon

5LN01M

Ordering number : EN6137C5LN01MN-Channel Small Signal MOSFEThttp://onsemi.com50V, 0.1A, 7.8 , Single MCPFeatures Low ON-resistance Ultrahigh-speed switching 1.5V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 50 VGate to Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) ID 0.1 AD

 9.1. Size:249K  sanyo
 5ln01c.pdf pdf_icon

5LN01M

Ordering number : EN6555A5LN01CSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device5LN01CApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 50 VGate-to-Source Voltage VGSS 10

 9.2. Size:250K  sanyo
 5ln01ss.pdf pdf_icon

5LN01M

Ordering number : EN6560A5LN01SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device5LN01SSApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 50 VGate-to-Source Voltage VGSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.