5LN01SP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 5LN01SP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.7 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.8 Ohm
Тип корпуса: SPA
Аналог (замена) для 5LN01SP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
5LN01SP даташит
5ln01sp.pdf
Ordering number ENN6559 5LN01SP N-Channel Silicon MOSFET 5LN01SP Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2180 2.5V drive. [5LN01SP] 2.2 4.0 0.4 0.5 0.4 0.4 1 2 3 1.3 1.3 1 Source 2 Drain 3 Gate Specifications 3.0 3.8nom SANYO SPA Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C
5ln01ss.pdf
Ordering number EN6560A 5LN01SS SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 5LN01SS Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 50 V Gate-to-Source Voltage VGSS
5ln01s.pdf
Ordering number EN6561A 5LN01S SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 5LN01S Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 50 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10
5ln01c.pdf
Ordering number EN6555A 5LN01C SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 5LN01C Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 50 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10
Другие MOSFET... 3LN01C , 3LN01M , 3LN01S , 3LP01C , 3LP01M , 3LP01S , 5LN01C , 5LN01M , IRF3710 , 5LN01SS , 5LP01M , ATP101 , ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 .
History: 3LN01M
History: 3LN01M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor







