5LN01SS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 5LN01SS
Маркировка: YB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.57 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.8 Ohm
Тип корпуса: SSFP
Аналог (замена) для 5LN01SS
5LN01SS Datasheet (PDF)
5ln01ss.pdf

Ordering number : EN6560A5LN01SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device5LN01SSApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 50 VGate-to-Source Voltage VGSS
5ln01s.pdf

Ordering number : EN6561A5LN01SSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device5LN01SApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 50 VGate-to-Source Voltage VGSS 10
5ln01sp.pdf

Ordering number : ENN65595LN01SPN-Channel Silicon MOSFET5LN01SPUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2180 2.5V drive.[5LN01SP]2.24.00.40.50.40.41 2 31.3 1.31 : Source2 : Drain3 : GateSpecifications3.03.8nomSANYO : SPAAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C
5ln01c.pdf

Ordering number : EN6555A5LN01CSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device5LN01CApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 50 VGate-to-Source Voltage VGSS 10
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: BUZ902P
History: BUZ902P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c