5LP01M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 5LP01M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.07 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.2 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 23 Ohm
Тип корпуса: MCP
Аналог (замена) для 5LP01M
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
5LP01M даташит
5lp01m.pdf
Ordering number EN6135A 5LP01M SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET 5LP01M General-Purpose Switching Device Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --50 V Gate-to-Source Voltage VGSS
5lp01n.pdf
Ordering number ENN6620 5LP01N P-Channel Silicon MOSFET 5LP01N Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2178 2.5V drive. [5LP01N] 5.0 4.0 4.0 0.45 0.5 0.44 0.45 1 2 3 1 Source 2 Drain 3 Gate Specifications 1.3 1.3 SANYO NP Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Paramete
5lp01c.pdf
Ordering number EN6619A 5LP01C SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 5LP01C Applications Features Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --50 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V
5lp01s.pdf
Ordering number EN6666A 5LP01S SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 5LP01S Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --50 V Gate-to-Source Voltage VGSS
Другие MOSFET... 3LN01S , 3LP01C , 3LP01M , 3LP01S , 5LN01C , 5LN01M , 5LN01SP , 5LN01SS , AON6414A , ATP101 , ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , ATP108 , ATP112 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a






