Справочник MOSFET. ATP101

 

ATP101 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATP101
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK
 

 Аналог (замена) для ATP101

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  sanyo
 atp101.pdf pdf_icon

ATP101

ATP101Ordering number : ENA1646SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP101ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

 ..2. Size:344K  onsemi
 atp101.pdf pdf_icon

ATP101

Ordering number : ENA1646AATP101P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 30V, 25A, 30m , Single ATPAKFeatures Low ON-resistance Large current Slim package 4.5V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 V

 9.1. Size:469K  sanyo
 atp107.pdf pdf_icon

ATP101

ATP107Ordering number : ENA1603SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP107ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

 9.2. Size:268K  sanyo
 atp104.pdf pdf_icon

ATP101

ATP104Ordering number : ENA1406SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP104ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 3LP01C , 3LP01M , 3LP01S , 5LN01C , 5LN01M , 5LN01SP , 5LN01SS , 5LP01M , IRFP250N , ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , ATP108 , ATP112 , ATP113 .

History: IXFT32N50Q | 5LP01M | STH60N10FI | 2N6793LCC4

 

 
Back to Top

 


 
.