ATP101 - описание и поиск аналогов

 

ATP101. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ATP101

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: ATPAK

Аналог (замена) для ATP101

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP101 даташит

 ..1. Size:467K  sanyo
 atp101.pdf pdf_icon

ATP101

ATP101 Ordering number ENA1646 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP101 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 ..2. Size:344K  onsemi
 atp101.pdf pdf_icon

ATP101

Ordering number ENA1646A ATP101 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 30V, 25A, 30m , Single ATPAK Features Low ON-resistance Large current Slim package 4.5V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --30 V

 9.1. Size:469K  sanyo
 atp107.pdf pdf_icon

ATP101

ATP107 Ordering number ENA1603 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP107 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 9.2. Size:268K  sanyo
 atp104.pdf pdf_icon

ATP101

ATP104 Ordering number ENA1406 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP104 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 3LP01C , 3LP01M , 3LP01S , 5LN01C , 5LN01M , 5LN01SP , 5LN01SS , 5LP01M , IRFB4115 , ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , ATP108 , ATP112 , ATP113 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.