ATP103. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ATP103

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: ATPAK

Аналог (замена) для ATP103

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP103 даташит

 ..1. Size:469K  sanyo
 atp103.pdf pdf_icon

ATP103

ATP103 Ordering number ENA1623 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP103 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 9.1. Size:469K  sanyo
 atp107.pdf pdf_icon

ATP103

ATP107 Ordering number ENA1603 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP107 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 9.2. Size:467K  sanyo
 atp101.pdf pdf_icon

ATP103

ATP101 Ordering number ENA1646 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP101 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 9.3. Size:268K  sanyo
 atp104.pdf pdf_icon

ATP103

ATP104 Ordering number ENA1406 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP104 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 3LP01S, 5LN01C, 5LN01M, 5LN01SP, 5LN01SS, 5LP01M, ATP101, ATP102, P55NF06, ATP104, ATP106, ATP107, ATP108, ATP112, ATP113, ATP114, ATP201