Справочник MOSFET. ATP106

 

ATP106 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATP106
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK
 

 Аналог (замена) для ATP106

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP106 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:470K  sanyo
atp106.pdfpdf_icon

ATP106

ATP106Ordering number : ENA1597SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP106ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

 9.1. Size:469K  sanyo
atp107.pdfpdf_icon

ATP106

ATP107Ordering number : ENA1603SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP107ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

 9.2. Size:467K  sanyo
atp101.pdfpdf_icon

ATP106

ATP101Ordering number : ENA1646SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP101ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

 9.3. Size:268K  sanyo
atp104.pdfpdf_icon

ATP106

ATP104Ordering number : ENA1406SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP104ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSM3J117TU | FQD5P10

 

 
Back to Top

 


 
.