Справочник MOSFET. ATP108

 

ATP108 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATP108
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK
 

 Аналог (замена) для ATP108

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP108 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:469K  sanyo
 atp108.pdf pdf_icon

ATP108

ATP108Ordering number : ENA1604SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP108ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

 ..2. Size:346K  onsemi
 atp108.pdf pdf_icon

ATP108

Ordering number : ENA1604AATP108P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 40V, 70A, 10.4m , Single ATPAKFeatures Low ON-resistance Large current Slim package 4.5V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --40

 9.1. Size:469K  sanyo
 atp107.pdf pdf_icon

ATP108

ATP107Ordering number : ENA1603SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP107ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

 9.2. Size:467K  sanyo
 atp101.pdf pdf_icon

ATP108

ATP101Ordering number : ENA1646SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP101ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 5LN01SS , 5LP01M , ATP101 , ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , 7N65 , ATP112 , ATP113 , ATP114 , ATP201 , ATP202 , ATP203 , ATP204 , ATP206 .

History: FDC3512 | FCU7N60TU | IXTV36N50PS | FDMA910PZ | VN0109N2

 

 
Back to Top

 


 
.