Справочник MOSFET. ATP108

 

ATP108 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATP108
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 79.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 340 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP108 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:469K  sanyo
 atp108.pdf pdf_icon

ATP108

ATP108Ordering number : ENA1604SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP108ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

 ..2. Size:346K  onsemi
 atp108.pdf pdf_icon

ATP108

Ordering number : ENA1604AATP108P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 40V, 70A, 10.4m , Single ATPAKFeatures Low ON-resistance Large current Slim package 4.5V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --40

 9.1. Size:469K  sanyo
 atp107.pdf pdf_icon

ATP108

ATP107Ordering number : ENA1603SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP107ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

 9.2. Size:467K  sanyo
 atp101.pdf pdf_icon

ATP108

ATP101Ordering number : ENA1646SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP101ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 4N65L-TF1-T | AP3N2R2MT | NTD4810N-1G | BRCS120N10SZC | SSP5N90A | MSK4N80T

 

 
Back to Top

 


 
.