ATP108 - описание и поиск аналогов

 

ATP108. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ATP108

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm

Тип корпуса: ATPAK

Аналог (замена) для ATP108

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP108 даташит

 ..1. Size:469K  sanyo
 atp108.pdf pdf_icon

ATP108

ATP108 Ordering number ENA1604 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP108 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 ..2. Size:346K  onsemi
 atp108.pdf pdf_icon

ATP108

Ordering number ENA1604A ATP108 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 40V, 70A, 10.4m , Single ATPAK Features Low ON-resistance Large current Slim package 4.5V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --40

 9.1. Size:469K  sanyo
 atp107.pdf pdf_icon

ATP108

ATP107 Ordering number ENA1603 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP107 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 9.2. Size:467K  sanyo
 atp101.pdf pdf_icon

ATP108

ATP101 Ordering number ENA1646 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP101 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 5LN01SS , 5LP01M , ATP101 , ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , IRF630 , ATP112 , ATP113 , ATP114 , ATP201 , ATP202 , ATP203 , ATP204 , ATP206 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.