Справочник MOSFET. 2SK899

 

2SK899 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK899
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SK899

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK899 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  1
2sk899.pdfpdf_icon

2SK899

 ..2. Size:234K  inchange semiconductor
2sk899.pdfpdf_icon

2SK899

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK899DESCRIPTIONDrain Current I =18A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUPSDC-DC convertersGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

 9.1. Size:132K  1
2sk895 2sk896.pdfpdf_icon

2SK899

 9.2. Size:134K  1
2sk897-mr.pdfpdf_icon

2SK899

Другие MOSFET... 2SK799 , 2SK801 , 2SK802 , 2SK814 , 2SK875 , 2SK876 , 2SK897 , 2SK897-MR , 20N50 , 2SK900 , 2SK901 , 2SK902 , 2SK903 , 2SK904 , 2SK905 , 2SK906 , 2SK928 .

History: NCE40H25LL | MCU20N15 | ME4626-G | IPAW60R600P7S | AP9467AGM | NTMFS0D9N03CGT1G | HGP098N10S

 

 
Back to Top

 


 
.