BSS84L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSS84L
Маркировка: PD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для BSS84L
BSS84L Datasheet (PDF)
bss84l bvss84l.pdf

BSS84L, BVSS84LPower MOSFETSingle P-Channel SOT-23-50 V, 10 W SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Spacewww.onsemi.com BV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableV(BR)DSS RDS(ON) MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant-50 V 10 W @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ
bss84lt1rev0x.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSS84LT1/DBSS84LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELField Effect TransistorsENHANCEMENTMODETMOS MOSFET3 DRAIN3121CASE 31808, Style 21GATESOT23 (TO236AB)2 SOURCEMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Rating
bss84lt1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSS84LT1/DBSS84LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELField Effect TransistorsENHANCEMENTMODETMOS MOSFET3 DRAIN3121CASE 31808, Style 21GATESOT23 (TO236AB)2 SOURCEMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Rating
bvss84l sbss84lt1g.pdf

BSS84L, BVSS84LPower MOSFETSingle P-Channel SOT-23-50 V, 10 W SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Spacehttp://onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable - BVSS84L These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted) -50 V 10 W @ 10 VRating Symbol Value UnitP-ChannelDrain-to-Source Voltag
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290