Справочник MOSFET. EMH2409

 

EMH2409 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMH2409
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm
   Тип корпуса: EMH8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

EMH2409 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  sanyo
emh2409.pdfpdf_icon

EMH2409

EMH2409Ordering number : ENA1890SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEMH2409ApplicationsFeatures The EMH2409 incorporates a N-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute

 8.1. Size:307K  sanyo
emh2408.pdfpdf_icon

EMH2409

Ordering number : ENA1170 EMH2408SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEMH2408ApplicationsFeatures The EMH2402 incorporates an N-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching,thereby enabling high-density mounting. 1.8V drive. Halogen free cpmpliance.SpecificationsAbsolute Maximum Ra

 8.2. Size:306K  sanyo
emh2407.pdfpdf_icon

EMH2409

Ordering number : ENA1141B EMH2407SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEMH2407ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Best suited for LiB charging and discharging switch. Common-drain type. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source

 9.1. Size:57K  philips
pemh24 pumh24.pdfpdf_icon

EMH2409

PEMH24; PUMH24NPN/NPN resistor-equipped transistors;R1 = 100 k, R2 = 100 kRev. 04 18 May 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN Resistor-Equipped Transistors (RET).Table 1: Product overviewType number Package NPN/PNP PNP/PNPcomplement complementPhilips JEITAPEMH24 SOT666 - PEMD24 PEMB24PUMH24 SOT363 SC-88 PUMD24 PUMB241.2 Feat

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WMB025N06LG4 | APT10050LVFR | SQJ414EP | RQ3E130MN | TTD90N03AT | BLF6G22-180PN | RJK1051DPB

 

 
Back to Top

 


 
.