Справочник MOSFET. MGSF2N02EL

 

MGSF2N02EL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MGSF2N02EL
   Маркировка: NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для MGSF2N02EL

 

 

MGSF2N02EL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  onsemi
 mgsf2n02el mvsf2n02el.pdf

MGSF2N02EL MGSF2N02EL

MGSF2N02EL,MVSF2N02ELMOSFET N-Channel,SOT-232.8 A, 20 Vwww.onsemi.comThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureminimal power loss and conserve energy, making these devices ideal2.8 A, 20 Vfor use in space sensitive power management circuitry.RDS(on) = 85 mW (max)Features Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery LifeN-Channel

 ..2. Size:89K  tysemi
 mgsf2n02el.pdf

MGSF2N02EL MGSF2N02EL

Product specificationMGSF2N02ELPower MOSFET2.8 A, 20 V2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23RDS(on) = 85 mW (max)These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureN-Channelminimal power loss and conserve energy, making these devices idealDfor use in space sensitive power management circuitry.Features Pb-Free Packages are Available Low RDS(on) Provides Higher

 0.1. Size:54K  onsemi
 mgsf2n02el-d.pdf

MGSF2N02EL MGSF2N02EL

MGSF2N02ELPreferred Device Power MOSFET2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in space sensitive power management circuitry. http://onsemi.comFeatures2.8 A, 20 V Pb-Free Packages are AvailableRDS(on) = 85 mW (max) Low RDS(on) Provides Higher

Другие MOSFET... MCH6444 , MCH6445 , MCH6601 , MCH6602 , MCH6604 , MCH6613 , MGSF1N02L , MGSF1N03L , IRFZ24N , MLD1N06CL , MMBF0201NL , MMBF170L , MMBF2201N , MMBF4391L , MMBF4392L , MMBF4393L , MMBFJ175L .

 

 
Back to Top